Številka izdelka proizvajalca:
BSF045N03MQ3 G
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSF045N03MQ3 G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 18A/63A 2WDSON
Podroben opis:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 63A (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Zaloga:
12800333
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSF045N03MQ3 G Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
18A (Ta), 63A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2600 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
-
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / Primer
3-WDSON
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
BSF045N03MQ3 G-DG
SP000597844
SP000458790
BSF045N03MQ3G
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPC045N10L3X1SA1
MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
IPD050N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
IPA60R125CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 25A TO220-FP
